DRAM Module, 64KX8, 150ns, NMOS, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | SIMM, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N30 |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 30 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | SINGLE |
| Base Number Matches | 1 |
| TM4464LU8-15L | TM4464LU8-12L | |
|---|---|---|
| 描述 | DRAM Module, 64KX8, 150ns, NMOS, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30 | DRAM Module, 64KX8, 120ns, NMOS, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30 |
| 包装说明 | SIMM, | SIMM, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | 150 ns | 120 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY REFRESH | RAS ONLY REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N30 | R-XSMA-N30 |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | DRAM MODULE | DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 30 | 30 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM | SIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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