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OM6507SAV

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共2页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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OM6507SAV概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN

OM6507SAV规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称接通时间 (ton)280 ns
Base Number Matches1
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