40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
基于收集器的最大容量 | 10 pF |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 4000 |
JEDEC-95代码 | TO-226 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V |
Base Number Matches | 1 |
MPS6724 | MPS6725 | |
---|---|---|
描述 | 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 | 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A |
基于收集器的最大容量 | 10 pF | 10 pF |
集电极-发射极最大电压 | 40 V | 50 V |
配置 | DARLINGTON | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 4000 | 4000 |
JEDEC-95代码 | TO-226 | TO-226 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V | 1.5 V |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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