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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> OM6240SMV
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OM6240SMV

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB，共6页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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OM6240SMV概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6

OM6240SMV规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FLATPACK, R-MDFP-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.55 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-MDFP-F6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）235
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

OM6240SMV相似产品对比

OM6240SMV OM6241SDT OM6241SMV OM6238SDT OM6239SDT OM6235SMV
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.095ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.18ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLATPACK, R-MDFP-F6 FLATPACK, R-MDFP-F6 FLATPACK, R-MDFP-F6 FLATPACK, R-MDFP-F6 FLATPACK, R-MDFP-F6 FLATPACK, R-MDFP-F6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 500 V 500 V 100 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 10 A 8 A 8 A 14 A 14 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.55 Ω 0.85 Ω 0.85 Ω 0.095 Ω 0.18 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-MDFP-F6 R-MDFP-F6 R-MDFP-F6 R-MDFP-F6 R-MDFP-F6 R-MDFP-F6
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度） 235 NOT SPECIFIED 235 235 235 235
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 32 A 32 A 56 A 56 A 36 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED 30 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
针数 6 6 - 6 6 6
Base Number Matches 1 1 1 1 - -

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