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MTP3055E

产品描述TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB,共2页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

MTP3055E概述

TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

MTP3055E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值40 W
最大功率耗散 (Abs)70 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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