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P4C1026-L35J3C

产品描述Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, SOJ-28
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文件大小791KB,共10页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C1026-L35J3C概述

Standard SRAM, 256KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, SOJ-28

P4C1026-L35J3C规格参数

参数名称属性值
包装说明SOJ,
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J28
长度18.161 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.5184 mm
Base Number Matches1

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