TC551001BPI-85,TC551001BPI-85 pdf中文资料,TC551001BPI-85引脚图,TC551001BPI-85电路-Datasheet-电子工程世界

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TC551001BPI-85: 产品描述IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM; 产品类别存储存储; 文件大小230KB，共13页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC551001BPI-85概述

IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM

TC551001BPI-85规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	42 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.8 mm
最大待机电流	0.0001 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

TC551001BPI-85相似产品对比

	TC551001BPI-85	TC551001BTRI-85	TC551001BFTI-10	TC551001BFTI-85	TC551001BPI-10	TC551001BTRI-10	TC551001BFI-10	TC551001BFI-85
描述	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32, Static RAM	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32, Static RAM	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32, Static RAM	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32, Static RAM	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM	IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM
零件包装代码	DIP	TSOP1	TSOP1	TSOP1	DIP	TSOP1	SOIC	SOIC
包装说明	DIP, DIP32,.6	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20	8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32	8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32	0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32	8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32	0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32	SOP, SOP32,.56
针数	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	85 ns	85 ns	100 ns	85 ns	100 ns	100 ns	100 ns	85 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
长度	42 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	42 mm	18.4 mm	20.6 mm	20.6 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	TSOP1-R	TSOP1	TSOP1	DIP	TSOP1-R	SOP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.8 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	4.8 mm	1.2 mm	2.8 mm	2.8 mm
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	2.54 mm	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	8 mm	8 mm	8 mm	15.24 mm	8 mm	10.7 mm	10.7 mm
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-
厂商名称	-	-	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)

TC551001BPI-85

TC551001BPI-85概述

TC551001BPI-85规格参数

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