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MZ1000S

产品描述Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 1000V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小117KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MZ1000S概述

Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 1000V V(RRM), Silicon,

MZ1000S规格参数

参数名称属性值
包装说明O-MUPM-D4
Reach Compliance Codecompliant
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码O-MUPM-D4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量6
相数3
端子数量4
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流12 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

MZ1000S相似产品对比

MZ1000S MZ200T MZ1000T MZ200S
描述 Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 12A, 200V V(RRM), Silicon,
包装说明 O-MUPM-D4 O-MUFM-D4 O-MUFM-D4 O-MUPM-D4
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
配置 BRIDGE, 6 ELEMENTS BRIDGE, 6 ELEMENTS BRIDGE, 6 ELEMENTS BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 O-MUPM-D4 O-MUFM-D4 O-MUFM-D4 O-MUPM-D4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 6 6 6 6
相数 3 3 3 3
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 12 A 12 A 12 A 12 A
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 200 V 1000 V 200 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
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