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IRG41BC30KD

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小359KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRG41BC30KD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3

IRG41BC30KD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性ULTRAFAST; HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)17 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)160 ns
标称接通时间 (ton)60 ns
Base Number Matches1

IRG41BC30KD相似产品对比

IRG41BC30KD IRG41BC30KDPBF
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3
是否Rohs认证 不符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FULL PACK-3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 ULTRAFAST; HIGH SPEED ULTRAFAST; HIGH SPEED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 17 A 17 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 160 ns 160 ns
标称接通时间 (ton) 60 ns 60 ns
Base Number Matches 1 1

 
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