IRG41BC30KD: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小359KB，共10页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRG41BC30KD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3

IRG41BC30KD规格参数

	IRG41BC30KD	IRG41BC30KDPBF
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3
是否无铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合
零件包装代码	SFM	SFM
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
其他特性	ULTRAFAST; HIGH SPEED	ULTRAFAST; HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	17 A	17 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	120 ns	120 ns
门极发射器阈值电压最大值	6 V	6 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	45 W	45 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	250 ns	250 ns
标称断开时间 (toff)	160 ns	160 ns
标称接通时间 (ton)	60 ns	60 ns
VCEsat-Max	2.7 V	2.7 V
Base Number Matches	1	1