电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRG41BC20KD

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小357KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRG41BC20KD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3

IRG41BC20KD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性ULTRAFAST; HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)11.5 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)180 ns
标称接通时间 (ton)54 ns
Base Number Matches1

IRG41BC20KD相似产品对比

IRG41BC20KD IRG41BC20KDPBF
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3
是否Rohs认证 不符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FULL PACK-3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 ULTRAFAST; HIGH SPEED ULTRAFAST; HIGH SPEED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 11.5 A 11.5 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 180 ns 180 ns
标称接通时间 (ton) 54 ns 54 ns
Base Number Matches 1 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1736  75  2722  2531  797  59  11  49  21  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved