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FR105SGB0G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小394KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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FR105SGB0G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon

FR105SGB0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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FR101SG thru FR107SG
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- High efficiency, low VF
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss
-
φ0.6mm
leads
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
A-405
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
0.2g (approximately)
A-405
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
FR
FR
FR
FR
FR
105
SG
600
420
600
FR
106
SG
800
560
800
FR
107
SG
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
250
15
75
- 55 to +150
- 55 to +150
O
en
101
SG
50
35
50
102
SG
70
100
100
103
SG
200
140
200
SG
400
280
400
1
30
1.3
5
100
150
de
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJA
T
J
T
STG
104
UNIT
500
ns
pF
C/W
O
O
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
No
tR
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
e co
mm
PARAMETER
d
C
C
Version: F14
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1407032
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