电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MTM1N100

产品描述1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小185KB,共5页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MTM1N100概述

1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

MTM1N100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻10 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)80 pF
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)200 ns

MTM1N100相似产品对比

MTM1N100 MTM1N95 MTP1N100
描述 1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 1A, 950V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA 1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V 950 V 1000 V
最大漏极电流 (ID) 1 A 1 A 1 A
最大漏源导通电阻 10 Ω 10 Ω 10 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 80 pF 80 pF 80 pF
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA TO-220AB
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 75 W 75 W 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 6 A 6 A 6 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 300 ns 300 ns 300 ns
最大开启时间(吨) 200 ns 200 ns 200 ns

推荐资源

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 120  859  1003  1335  1557 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved