1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (ID) | 1 A |
最大漏源导通电阻 | 10 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 80 pF |
JEDEC-95代码 | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 300 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns |
MTM1N100 | MTM1N95 | MTP1N100 | |
---|---|---|---|
描述 | 1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 1A, 950V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) | Motorola ( NXP ) | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V | 950 V | 1000 V |
最大漏极电流 (ID) | 1 A | 1 A | 1 A |
最大漏源导通电阻 | 10 Ω | 10 Ω | 10 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 80 pF | 80 pF | 80 pF |
JEDEC-95代码 | TO-204AA | TO-204AA | TO-220AB |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 75 W | 75 W | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6 A | 6 A | 6 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 300 ns | 300 ns | 300 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
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