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MTH50N05E

产品描述50A, 50V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小202KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTH50N05E概述

50A, 50V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC

MTH50N05E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)400 pF
JEDEC-95代码TO-218AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)160 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)95 ns
最大开启时间(吨)85 ns
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