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MGV100-22-P55

产品描述Variable Capacitance Diode, KA Band, 0.93pF C(T), 22V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小612KB,共8页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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MGV100-22-P55概述

Variable Capacitance Diode, KA Band, 0.93pF C(T), 22V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2

MGV100-22-P55规格参数

参数名称属性值
包装说明O-CEMW-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压22 V
配置SINGLE
二极管电容容差10.75%
标称二极管电容0.93 pF
二极管元件材料GALLIUM ARSENIDE
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带KA BAND
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数3000
最大重复峰值反向电压22 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类HYPERABRUPT
Base Number Matches1

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GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series
Description
The MGV series of hyperabrupt varactor diodes feature
passivated mesa construction for low leakage and excellent post
tuning drift. Available in three constant gamma families of 0.75,
1.0 and 1.25. These diodes will find application in tunable filters
and oscillators up to 40 GHz. Optimum performance is obtained
using die however packaged devices are available as well
diodes screened per MIL-PRF-19500 and MIL-PRF-38534.
Features
0 to 22 Volt tuning voltage
Tuning ratios up to 10 (typical)
Three constant gamma families -
0.75, 1.0, and 1.25
Screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-35834 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Reverse Voltage
Forward Current
Power Dissipation
Chip
E28, E28X, & 0805-2
H20, P55 & P55
Operating Temperature
Chip
E28, E28X, & 0805-2
H20, P55 & P55
Storage Temperature
Soldering Temperature
Chip
Packaged
22 V
100 mA
250 mW at T
C
= 25
°C,
derate linearly to zero at T
C
= +200
°C
50
100 mW at T
A
= 25
°C,
derate linearly to zero at T
A
= +1
°C
100 mW at T
A
= 25
°C,
derate linearly to zero at T
A
= +200
°C
-65
°C
to +200
°C
-65
°C
to +1
°C
50
-65
°C
to +200
°C
Same as operating temperature.
+320
°C
for 10 seconds
+260
°C
peak per JEDEC J-STD-20C
Rating
Revision Date: 1 4/05
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