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HER605G

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小253KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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HER605G概述

Rectifier Diode,

HER605G规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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