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MT47H64M16HW-25ELAIT:H

产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共129页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT47H64M16HW-25ELAIT:H概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84

MT47H64M16HW-25ELAIT:H规格参数

参数名称属性值
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度12.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
Base Number Matches1

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1Gb: x8, x16 Automotive DDR2 SDRAM
Features
Automotive DDR2 SDRAM
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
Features
Industrial and automotive temperature compliant
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Programmable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
32ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
RoHS-compliant
AEC-Q100
PPAP submisson
8D response time
Options
1
• Configuration
– 128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
– 64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 8 banks)
• FBGA package (Pb-free) – x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. H
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev.
H
• FBGA package (lead solder) – x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. H
• FBGA package (lead solder) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev.
H
• Timing – cycle time
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
• Self refresh
– Standard
– Low-power
• Operating temperature
– Industrial (–40°C
T
C
+95°C;
–40°C
T
A
+85°C)
– Automotive (–40°C
T
C
, T
A
+105ºC)
• Revision
Note:
Marking
128M8
64M16
CF
HR
JN
HW
-25E
-3
None
L
AIT
AAT
:H
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
Table 1: Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Speed Grade
-25E
-25
-3E
-3
CL = 3
400
400
400
400
CL = 4
533
533
667
533
CL = 5
800
667
667
667
CL = 6
800
800
n/a
n/a
CL = 7
n/a
n/a
n/a
n/a
t
RC
(ns)
55
55
54
55
PDF: 09005aef840eff89
1gbddr2_ait_aat.pdf – Rev. C 7/11 EN
1
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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