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MT47H64M16HW-25EIT

产品描述DDR DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小12MB,共129页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT47H64M16HW-25EIT概述

DDR DRAM,

MT47H64M16HW-25EIT规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
内存集成电路类型DDR DRAM
Base Number Matches1

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1Gb: x8, x16 Automotive DDR2 SDRAM
Features
Automotive DDR2 SDRAM
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
Features
Industrial and automotive temperature compliant
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Programmable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
32ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
RoHS-compliant
AEC-Q100
PPAP submisson
8D response time
Options
1
• Configuration
– 128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
– 64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 8 banks)
• FBGA package (Pb-free) – x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm)
• FBGA package (Pb-free) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
• FBGA package (lead solder) – x8
– 60-ball FBGA (8mm x 10mm)
• FBGA package (lead solder) – x16
– 84-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
• Timing – cycle time
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
• Self refresh
– Standard
– Low-power
• Product certification
– Automotive
• Operating temperature
– Industrial (–40°C
T
C
+95°C)
– Automotive (–40°C
T
C
+105ºC)
• Revision
Note:
Marking
128M8
64M16
CF
HR, RP
JN
HW
-25E
-3
None
L
A
IT
AT
:H
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
Table 1: Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Speed Grade
-25E
-25
-3
CL = 3
400
400
400
CL = 4
533
533
533
CL = 5
800
667
667
CL = 6
800
800
n/a
CL = 7
n/a
n/a
n/a
t
RC
(ns)
55
55
55
PDF: 09005aef840eff89
1gbddr2_ait_aat.pdf – Rev. D 11/13 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

MT47H64M16HW-25EIT相似产品对比

MT47H64M16HW-25EIT MT47H128M8CF-25 MT47H128M8CF-25E
描述 DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - Micron Technology Micron Technology
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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