71V35781YSA166BG8,71V35781YSA166BG8 pdf中文资料,71V35781YSA166BG8引脚图,71V35781YSA166BG8电路-Datasheet-电子工程世界

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71V35781YSA166BG8: 产品描述Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119; 产品类别存储存储; 文件大小630KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71V35781YSA166BG8概述

Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119

71V35781YSA166BG8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	3.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

71V35781YSA166BG8相似产品对比

	71V35781YSA166BG8	71V35781YSA200BG8	71V35781YSA166BGI8	71V35781YSA183BG8	71V35781YSA183BGI8
描述	Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119	Standard SRAM, 256KX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119	Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119	Standard SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PBGA119	Standard SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PBGA119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	3.5 ns	3.1 ns	3.5 ns	3.3 ns	3.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	200 MHz	166 MHz	183 MHz	183 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3
端子数量	119	119	119	119	119
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
组织	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.03 A	0.03 A	0.03 A	0.03 A	0.03 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.32 mA	0.36 mA	0.32 mA	0.34 mA	0.34 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Base Number Matches	1	1	1	-	-
厂商名称	-	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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