Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> RD48F2000P0XBQ0A

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RD48F2000P0XBQ0A: 产品描述Flash, 4MX16, 85ns, PBGA80, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-88/80; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共96页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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RD48F2000P0XBQ0A概述

Flash, 4MX16, 85ns, PBGA80, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-88/80

RD48F2000P0XBQ0A规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	BGA
包装说明	8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-88/80
针数	88/80
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	85 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PBGA-B80
长度	10 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	80
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
类型	NOR TYPE
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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Numonyx™ StrataFlash

Embedded Memory

(P33)

Datasheet

Product Features

High performance:

— 85 ns initial access

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst

mode

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)

— 3.0 V buffered programming at 7 µs/byte

(Typ)

Architecture:

— Multi-Level Cell Technology: Highest

Density at Lowest Cost

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

Voltage and Power:

— V

(core) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— V

CCQ

(I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— Standby current: 35µA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

16 mA (Typ) at 52MHz

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

Security:

— One-Time Programmable Registers:

— 64 unique factory device identifier bits

— 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP space in Main Array:

— Four pre-defined 128-KByte blocks (top or

bottom configuration).

— Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V

= V

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

Software:

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

Density and Packaging

— 56-Lead TSOP package (64, 128, 256, 512-

Mbit)

— 64-Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512-Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512-Mbit)

— 16-bit wide data bus

314749-05

November 2007

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Datasheet

November 2007

314749-05

Numonyx™ StrataFlash

Embedded Memory (P33)

Contents

1.0

Introduction

.............................................................................................................. 6

1.1

Nomenclature ..................................................................................................... 6

1.2

Acronyms........................................................................................................... 6

1.3

Conventions ....................................................................................................... 7

Functional Overview

.................................................................................................. 8

2.1

Virtual Chip Enable Description.............................................................................. 8

Package Information

............................................................................................... 10

3.1

56-Lead TSOP................................................................................................... 10

3.2

64-Ball Easy BGA Package .................................................................................. 11

3.3

QUAD+ SCSP Packages ...................................................................................... 14

Ballout and Signal Descriptions

............................................................................... 17

4.1

Signal Ballout ................................................................................................... 17

4.2

Signal Descriptions ............................................................................................ 19

4.3

Dual Die SCSP Configurations ............................................................................. 22

4.4

Memory Maps ................................................................................................... 22

Maximum Ratings and Operating Conditions............................................................

5.1

Absolute Maximum Ratings................................................................................. 26

5.2

Operating Conditions ......................................................................................... 26

Electrical Specifications

........................................................................................... 27

6.1

DC Current Characteristics.................................................................................. 27

6.2

DC Voltage Characteristics.................................................................................. 28

AC Characteristics

................................................................................................... 29

7.1

AC Test Conditions ............................................................................................ 29

7.2

Capacitance...................................................................................................... 30

7.3

AC Read Specifications....................................................................................... 30

7.4

AC Write Specifications ...................................................................................... 36

7.5

Program and Erase Characteristics....................................................................... 39

Power and Reset Specifications

............................................................................... 41

8.1

Power-Up and Power-Down................................................................................. 41

8.2

Reset Specifications........................................................................................... 41

8.3

Power Supply Decoupling ................................................................................... 42

Bus Operations

........................................................................................................ 43

9.1

Read ............................................................................................................... 43

9.2

Write ............................................................................................................... 43

9.3

Output Disable.................................................................................................. 43

9.4

Standby ........................................................................................................... 44

9.5

Reset............................................................................................................... 44

9.6

Device Command Bus Cycles .............................................................................. 44

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0 Command Definitions

.............................................................................................. 46

11.0 Device Operations

................................................................................................... 48

11.1 Status Register ................................................................................................. 48

11.2 Read Operations ............................................................................................... 55

11.2.1 Asynchronous Page-Mode Read ................................................................ 55

11.2.2 Synchronous Burst-Mode Read ................................................................. 56

11.2.3 Read Device Identifier............................................................................. 56

11.2.4 CFI Query ............................................................................................. 57

November 2007

314749-05

Datasheet

Numonyx™ StrataFlash

Embedded Memory (P33)

11.3

11.4

Programming Operations ....................................................................................57

11.3.1 Word Programming .................................................................................58

11.3.2 Buffered Programming ............................................................................58

11.3.3 Buffered Enhanced Factory Programming ...................................................59

11.3.4 Program Suspend ...................................................................................61

11.3.5 Program Resume ....................................................................................62

11.3.6 Program Protection .................................................................................62

Erase Operations ...............................................................................................62

11.4.1 Block Erase ............................................................................................62

11.4.2 Erase Suspend .......................................................................................63

11.4.3 Erase Resume ........................................................................................63

11.4.4 Erase Protection .....................................................................................63

11.4.5 Security Modes.......................................................................................64

11.4.6 Block Locking .........................................................................................64

11.4.7 Selectable One-Time Programmable Blocks ................................................66

11.4.8 Protection Registers ................................................................................66

12.0 Flowcharts

...............................................................................................................69

13.0 Common Flash Interface

..........................................................................................77

13.1 Query Structure Output ......................................................................................77

13.2 CFI Query Identification String ............................................................................78

13.3 Device Geometry Definition .................................................................................80

13.4 Numonyx-Specific Extended Query Table ..............................................................81

14.0 Write State Machine.................................................................................................87

Additional Information.............................................................................................94

Ordering Information for Discrete Products

.............................................................95

Ordering Information for SCSP Products

..................................................................96

Datasheet

November 2007

314749-05

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