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HM3-6561B-9

产品描述Standard SRAM, 256X4, 220ns, CMOS, PDIP18
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文件大小183KB,共5页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HM3-6561B-9概述

Standard SRAM, 256X4, 220ns, CMOS, PDIP18

HM3-6561B-9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间220 ns
其他特性ADDRESS LATCH
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.0072 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HM3-6561B-9相似产品对比

HM3-6561B-9 HM3-6561-9
描述 Standard SRAM, 256X4, 220ns, CMOS, PDIP18 Standard SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, PDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 220 ns 300 ns
其他特性 ADDRESS LATCH ADDRESS LATCH
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 18 18
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 256X4 256X4
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00001 A 0.00001 A
最小待机电流 2 V 2 V
最大压摆率 0.0072 mA 0.0063 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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