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HM51W17805S-5

产品描述EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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文件大小467KB,共31页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM51W17805S-5概述

EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

HM51W17805S-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ28,.34
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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HM51W17805 Series
2,097,152-word
×
8-bit Dynamic RAM
ADE-203-631C (Z)
Rev. 3.0
Feb. 25, 1997
Description
The Hitachi HM51W17805 is a CMOS dynamic RAM organized 2,097,152-word
×
8-bit. It employs the
most advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM51W17805 offers Extended
Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. Multiplexed address input permits the
HM51W17805 to be packaged in standard 28-pin plastic SOJ and 28-pin TSOP.
Features
Single 3.3 V (±0.3 V)
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)
Power dissipation
Active mode: 396 mW/360 mW/324 mW (max)
Standby mode : 7.2 mW (max)
: 0.54 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Long refresh period
2048 refresh cycles : 32 ms
: 128 ms (L-version)
4 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
Battery backup operation (L-version)
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