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V54C3128404VCLK6H

产品描述Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PBGA54, GREEN, MO-207, FBGA-54
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文件大小691KB,共56页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V54C3128404VCLK6H概述

Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PBGA54, GREEN, MO-207, FBGA-54

V54C3128404VCLK6H规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DSBGA
包装说明TFBGA,
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B54
长度8 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
Base Number Matches1

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V54C3128(16/80/40)4VC
128Mbit SDRAM
3.3 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE
8M X 16, 16M X 8, 32M X 4
5
System Frequency (f
CK
)
Clock Cycle Time (t
CK3
)
Clock Access Time (t
AC3
) CAS Latency = 3
Clock Access Time (t
AC2
) CAS Latency = 2
200 MHz
5 ns
4.5 ns
4.5 ns
6
166 MHz
6 ns
5.4 ns
5.4 ns
7PC
143 MHz
7 ns
5.4 ns
5.4 ns
7
143 MHz
7 ns
5.4 ns
6 ns
10
100 MHz
10 ns
6 ns
6 ns
Features
4 banks x 2Mbit x 16 organization
4 banks x 4Mbit x 8 organization
4 banks x 8Mbit x 4 organization
High speed data transfer rates up to 200 MHz
Full Synchronous Dynamic RAM, with all signals
referenced to clock rising edge
Single Pulsed RAS Interface
Data Mask for Read/Write Control
Four Banks controlled by BA0 & BA1
Programmable CAS Latency: 2, 3
Programmable Wrap Sequence: Sequential or
Interleave
Programmable Burst Length:
1, 2, 4, 8, and full page for Sequential Type
1, 2, 4, 8 for Interleave Type
Multiple Burst Read with Single Write Operation
Automatic and Controlled Precharge Command
Random Column Address every CLK (1-N Rule)
Power Down Mode
Auto Refresh and Self Refresh
Refresh Interval: 4096 cycles/64 ms
Available in 54 Pin TSOP II, 54 Ball BGA, 60 Ball
BGA
LVTTL Interface
Single +3.3 V
±0.3
V Power Supply
Description
The V54C3128(16/80/40)4VC is a four bank Syn-
chronous DRAM organized as 4 banks x 2Mbit x 16,
4 banks x 4Mbit x 8, or 4 banks x 8Mbit x 4. The
V54C3128(16/80/40)4VC achieves high speed data
transfer rates up to 200 MHz by employing a chip
architecture that prefetches multiple bits and then
synchronizes the output data to a system clock
All of the control, address, data input and output
circuits are synchronized with the positive edge of
an externally supplied clock.
Operating the four memory banks in an inter-
leaved fashion allows random access operation to
occur at higher rate than is possible with standard
DRAMs. A sequential and gapless data rate of up to
200 MHz is possible depending on burst length,
CAS latency and speed grade of the device.
Device Usage Chart
Operating
Temperature
Range
0°C to 70°C
-40°C to 85°C
-40°C to 105°C
-40°C to 125°C
Package Outline
J/K/I
Access Time (ns)
5
Power
7
6
7PC
Std.
L
Temperature
Mark
Blank
I
H
E
V54C3128(16/80/40)4VC Rev. 1.3 November 2008
1
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