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MHT2N80

产品描述2A, 800V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小911KB,共19页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MHT2N80概述

2A, 800V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

MHT2N80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值50 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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