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SB2060LFCT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN FREE, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB2060LFCT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN FREE, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

SB2060LFCT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明HALOGEN FREE, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流145 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SB2060LFCT
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directives
60 Volt
CURRENT
20 Ampere
0.100(2.55)
0.112(2.85)
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
0.272(6.9)
0.248(6.3)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.128(3.25)
MECHANICAL DATA
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
Case : ITO-220AB, Plastic
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (Fig.4)
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
per device
per diode
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
R
JC
T
J
T
STG
VALUE
60
20
10
145
4.5
-55 to + 125
-55 to + 150
O
MIN.
UNIT
V
A
A
C/W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=1mA
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=5A
I
F
=10A
V
R
=60V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25
o
C
T
J
=100
o
C
MIN.
64
-
-
-
-
-
-
TYP.
68
0.44
0.51
-
-
-
-
MAX.
-
0.51
0.6
0.44
0.56
0.5
20
UNIT
V
V
V
mA
Instantaneous forward voltage per
diode
(1)
V
F
Reverse current per diode
(2)
I
R
Note.1.Pulse test : 380s pulse width, 1% duty cycle
2.Pulse test : Pulse width < 2.5ms
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PAGE . 1
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