电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

ULB122G-B5-TM3-T

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

ULB122G-B5-TM3-T概述

Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3

ULB122G-B5-TM3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-251
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)28
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
ULB122
NPN TRIPLE DIFFUSED
PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC
ULB122
is a medium power transistor designed for
use in switching applications.
NPN SILICON TRANSISTOR
FEATURES
* High breakdown voltage
* Low collector saturation voltage
* Fast switching speed
* Halogen Free
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
ULB122G-xx-TM3-T
Package
TO-251
1
B
Pin Assignment
2
C
3
E
Packing
Tube
www.unisonic.com.tw
1 of 4
QW-R213-014,C
Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd

ULB122G-B5-TM3-T相似产品对比

ULB122G-B5-TM3-T ULB122G-B6-TM3-T ULB122G-B3-TM3-T
描述 Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-251 TO-251 TO-251
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 28 33 18
JEDEC-95代码 TO-251 TO-251 TO-251
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 -

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 231  587  1245  1493  1219  12  34  14  41  5 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved