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MJF18008

产品描述Silicon NPN Power Transistors
文件大小114KB,共3页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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MJF18008概述

Silicon NPN Power Transistors

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Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
BU526 BU526A
DESCRIPTION
・With
TO-3 package
・Short
switching times.
・High
dielectric strength.
APPLICATIONS
・For
use in power supply units of TV receives.
PINNING(see fig.2)
PIN
1
2
3
Base
Emitter
Collector
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=
℃)
SYMBOL
V
CBO
固电
Collector-base voltage
导½
PARAMETER
BU526
BU526A
CONDITIONS
Open emitter
V
CEO
Collector-emitter voltage
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
stg
HAN
INC
Emitter-base voltage
Collector current
Collector current-peak
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
ES
G
Open base
MIC
E
OR
UCT
ND
O
VALUE
900
400
460
7
8
10
UNIT
V
V
Open collector
V
A
A
W
T
C
=25℃
86
175
-65~175
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-C
PARAMETER
Thermal resistance junction to case
MAX
1.04
UNIT
℃/W

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