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MJE1320

产品描述Silicon NPN Power Transistors
文件大小116KB,共3页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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MJE1320概述

Silicon NPN Power Transistors

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Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
MJE1320
DESCRIPTION
・With
TO-220 package
・High
voltage
・Low
collector saturation voltage
APPLICATIONS
・For
high-voltage ,power switching in
inductive circuits and line operated
switchmode applications
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Collector
Emitter
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Tc=25
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j
T
stg
固电
Collector-base voltage
导½
PARAMETER
HA
INC
Collector current
Base current
Base current-Peak
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
ES
NG
Open emitter
Open base
MIC
E
CONDITIONS
OR
CT
NDU
O
VALUE
1800
900
9
2
5
1.5
2.5
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
W
Open collector
Collector current-Peak
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25℃
T
C
=100℃
80
32
-65~150
-65~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-C
PARAMETER
Thermal resistance junction to case
MAX
1.56
UNIT
℃/W
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