IRFF034PBF概述

16.2A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

IRFF034PBF规格参数

	IRFF034PBF	IRFF014PBF
描述	16.2A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	6.3A, 60V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	16.2 A	6.3 A
最大漏极电流 (ID)	16.2 A	6.3 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	25 W	15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	65 A	25 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ