电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RS502

产品描述4 A, 125 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RS502概述

4 A, 125 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RS502规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明R-PSIP-W4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压100 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
最大重复峰值反向电压190 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置SINGLE

文档预览

下载PDF文档
RS501 thru RS507
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
-
FORWARD CURRENT
-
RS5
50
to
1000
Volts
5.0
Amperes
.188(4.8)x45°
FEATURES
Plastic material used carries UL
recognition 94V-0
High surge current capability
Ideal for printed circuit board
Built-in printed board stand offs
.846(21.5)
.807(20.5)
.886(22.5)
.825(21.0)
.042(1.07) DIA
.038(0.97)
1.00
MIN.
(25.4)
.400
.354
(10.2)
(9.0)
.295(7.5)
.256(6.5)
.300
.285
(7.6)
(7.2)
.300
.285
(7.6)
(7.2)
.365
.345
(9.3)
(8.8)
.195(5.0)
.180(4.6)
1.594(40.5)
1.550(39.4)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
resistive or inductive load at 50H
Z
or 60H
Z
.
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (Note1)
Maximum Average Forward Output Current I
FAVM
natuer
cooling,T
A
=45℃
C-Load
R+L-Load
on chassis=31in ,200cm ,T
A
=45℃
C-Load
R+L-Load
Maximum Repetitive Peak Forward Surge Current I
FSM
Peak Forward Surge Current Single
I
2
t Rating for Fusing
(t<8.3ms)
Maximum Series Resistance at V
RMS
Maximum Reservoir Capacitor
Maximum Reverse Current at
Rated Repetitive Peak Voltage
Maximum instantaneous Forward Drop
per Element at 5.0A
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES:1.Valid for each bridge element.
@T
J
=25℃
@T
J
=150℃
@T
J
=25℃
@T
J
=25℃
@T
J
=150℃
Sine-Wave on Reated Load (JEDEC Method) @T
J
=150℃
2
2
SYMBOL
V
RM
V
RMS
V
DC
V
RRM
RS501
50
35
50
100
RS502
100
70
100
190
RS503
200
140
200
300
RS504
400
280
400
600
RS505
600
420
600
900
RS506
800
400
800
1200
RS507
1000
700
1000
1500
UNIT
V
V
V
V
3.3
I
(A)
4.0
5.0
6.0
A
PK
I
FSM
I
2
t
0.15
10000
I
R
V
F
T
J
T
STG
0.3
5000
0.6
5000
30
250
200
312
200
1.2
2500
10.0
6.0
1.0
-55 to+125
-55 to+150
1.8
1000
A
A
A
2
S
OHM
uF
μA
mA
V
A
~ 366 ~

RS502相似产品对比

RS502 RS504 RS501 RS503
描述 4 A, 125 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 65 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
包装说明 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
最小击穿电压 100 V 400 V 50 V 200 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 4 4 4 4
相数 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 4 A 4 A 4 A 4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
最大重复峰值反向电压 190 V 600 V 100 V 300 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 HY Electronic - HY Electronic HY Electronic
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 199  1295  735  1650  845  56  18  57  26  16 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved