LM108AWGLQMLV放大器基础信息:
LM108AWGLQMLV是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP, SOP10,.4
LM108AWGLQMLV放大器核心信息:
LM108AWGLQMLV的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.005 µA
厂商给出的LM108AWGLQMLV的最大压摆率为0.8 mA,而最小压摆率为0.05 V/us。其最小电压增益为20000。
而其供电电源的范围为:+-5/+-20 V。LM108AWGLQMLV的输入失调电压为1000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LM108AWGLQMLV的相关尺寸:
LM108AWGLQMLV拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。
LM108AWGLQMLV放大器其他信息:
LM108AWGLQMLV采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM108AWGLQMLV的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:MILITARY。而其湿度敏感等级为:1。
LM108AWGLQMLV不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-XDSO-G10。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM108AWGLQMLV的封装代码是:SOP。LM108AWGLQMLV封装的材料多为CERAMIC。
而其封装形状为RECTANGULAR。LM108AWGLQMLV封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。
LM108AWGLQMLV放大器基础信息:
LM108AWGLQMLV是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP, SOP10,.4
LM108AWGLQMLV放大器核心信息:
LM108AWGLQMLV的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.005 µA
厂商给出的LM108AWGLQMLV的最大压摆率为0.8 mA,而最小压摆率为0.05 V/us。其最小电压增益为20000。
而其供电电源的范围为:+-5/+-20 V。LM108AWGLQMLV的输入失调电压为1000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LM108AWGLQMLV的相关尺寸:
LM108AWGLQMLV拥有10个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。
LM108AWGLQMLV放大器其他信息:
LM108AWGLQMLV采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM108AWGLQMLV的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:MILITARY。而其湿度敏感等级为:1。
LM108AWGLQMLV不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-XDSO-G10。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM108AWGLQMLV的封装代码是:SOP。LM108AWGLQMLV封装的材料多为CERAMIC。
而其封装形状为RECTANGULAR。LM108AWGLQMLV封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | SOP, SOP10,.4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.005 µA |
| 频率补偿 | NO |
| 最大输入失调电压 | 1000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP10,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 电源 | +-5/+-20 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 最小摆率 | 0.05 V/us |
| 最大压摆率 | 0.8 mA |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 50k Rad(Si) V |
| 最小电压增益 | 20000 |
| Base Number Matches | 1 |
| LM108AWGLQMLV | LM108AHLQMLV | LM108AWLQMLV | LM108H/883/NOPB | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR, RAD HARD,SOP,10PIN,CERAMIC | IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR, RAD HARD,CAN,8PIN,METAL | IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR, RAD HARD,FP,10PIN,CERAMIC | IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR,CAN,8PIN,METAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 包装说明 | SOP, SOP10,.4 | , CAN8,.2 | DFP, FL10,.3 | , CAN8,.2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | unknown |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.005 µA | 0.005 µA | 0.005 µA | 0.002 µA |
| 频率补偿 | NO | NO | NO | NO |
| 最大输入失调电压 | 1000 µV | 1000 µV | 1000 µV | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-G10 | O-MBCY-W8 | R-XDFP-F10 | O-MBCY-W8 |
| 低-失调 | NO | NO | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 10 | 8 | 10 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | METAL | CERAMIC | METAL |
| 封装等效代码 | SOP10,.4 | CAN8,.2 | FL10,.3 | CAN8,.2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR | ROUND |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL | FLATPACK | CYLINDRICAL |
| 电源 | +-5/+-20 V | +-5/+-20 V | +-5/+-20 V | +-5/+-20 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大压摆率 | 0.8 mA | 0.8 mA | 0.8 mA | 0.8 mA |
| 供电电压上限 | 22 V | 22 V | 22 V | 20 V |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | GULL WING | WIRE | FLAT | WIRE |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL | BOTTOM |
| 最小电压增益 | 20000 | 20000 | 20000 | 25000 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 最小摆率 | 0.05 V/us | 0.05 V/us | 0.05 V/us | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Tin/Lead (Sn63Pb37) | - |
| 总剂量 | 50k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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