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CY7C140-55LC

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48
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文件大小666KB,共13页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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CY7C140-55LC概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48

CY7C140-55LC规格参数

参数名称属性值
包装说明QCCN,
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间55 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码S-CQCC-N48
长度14.224 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.9812 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.016 mm
端子位置QUAD
宽度14.224 mm
Base Number Matches1

CY7C140-55LC相似产品对比

CY7C140-55LC CY7C140-25LC CY7C140-30DC CY7C140-30DI CY7C140-45LC CY7C140-55DC CY7C140-55DI
描述 Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
包装说明 QCCN, QCCN, DIP, DIP, QCCN, DIP, DIP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 55 ns 25 ns 30 ns 30 ns 45 ns 55 ns 55 ns
其他特性 AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48 R-CDIP-T48 R-CDIP-T48 S-CQCC-N48 R-CDIP-T48 R-CDIP-T48
长度 14.224 mm 14.224 mm 60.96 mm 60.96 mm 14.224 mm 60.96 mm 60.96 mm
内存密度 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48 48 48 48
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP QCCN DIP DIP
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
座面最大高度 1.9812 mm 1.9812 mm 5.08 mm 5.08 mm 1.9812 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.016 mm 1.016 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.016 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL
宽度 14.224 mm 14.224 mm 15.24 mm 15.24 mm 14.224 mm 15.24 mm 15.24 mm
厂商名称 - Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics

 
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