2N6386,2N6386 pdf中文资料,2N6386引脚图,2N6386电路-Datasheet-电子工程世界

2N6386: 产品描述10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小118KB，共3页; 制造商ISC; 官网地址http://www.iscsemi.cn/

下载文档详细参数选型对比全文预览

2N6386在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	2N6386	-	-	点击查看	点击购买

10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

10 A, 40 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-220AB

	2N6386	2N6387	2N6388
描述	10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	POWER TRANSISTOR
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
端子涂层	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
端子数量	3	3	-
晶体管极性	NPN	NPN	-
最大集电极电流	10 A	10 A	-
最大集电极发射极电压	40 V	40 V	-
加工封装描述	TO-220AB, 3 PIN	TO-220AB, 3 PIN	-
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
包装尺寸	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	-
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
结构	DARLINGTON	DARLINGTON	-
元件数量	1	1	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-
最小直流放大倍数	1000	1000	-
额定交叉频率	20 MHz	20 MHz	-

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ