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2N6039

产品描述4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小120KB,共3页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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2N6039概述

4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

4 A, 80 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-126

2N6039规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流4 A
最大集电极发射极电压80 V
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层TIN LEAD
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构DARLINGTON
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大环境功耗1.5 W
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数100
额定交叉频率25 MHz

2N6039相似产品对比

2N6039 2N6038 2N6037
描述 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
端子数量 3 3 3
晶体管极性 NPN NPN NPN
最大集电极电流 4 A 4 A 4 A
最大集电极发射极电压 80 V 40 V 40 V
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR 矩形的 矩形的
包装尺寸 FLANGE MOUNT 凸缘安装 凸缘安装
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-孔 THROUGH-孔
端子位置 SINGLE 单一的 单一的
包装材料 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 DARLINGTON 达林顿 达林顿
元件数量 1 1 1
晶体管元件材料 SILICON
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER 通用电源 通用电源
最小直流放大倍数 100 750 750
额定交叉频率 25 MHz 25 MHz 25 MHz
加工封装描述 - TO-126, 3 PIN TO-126, 3 PIN
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