4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
4 A, 80 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-126
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
晶体管极性 | NPN |
最大集电极电流 | 4 A |
最大集电极发射极电压 | 80 V |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | DARLINGTON |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大环境功耗 | 1.5 W |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最小直流放大倍数 | 100 |
额定交叉频率 | 25 MHz |
2N6039 | 2N6038 | 2N6037 | |
---|---|---|---|
描述 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
晶体管极性 | NPN | NPN | NPN |
最大集电极电流 | 4 A | 4 A | 4 A |
最大集电极发射极电压 | 80 V | 40 V | 40 V |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT | 凸缘安装 | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 |
端子位置 | SINGLE | 单一的 | 单一的 |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | DARLINGTON | 达林顿 | 达林顿 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
晶体管元件材料 | SILICON | 硅 | 硅 |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER | 通用电源 | 通用电源 |
最小直流放大倍数 | 100 | 750 | 750 |
额定交叉频率 | 25 MHz | 25 MHz | 25 MHz |
加工封装描述 | - | TO-126, 3 PIN | TO-126, 3 PIN |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved