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MJ11018

产品描述isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
文件大小48KB,共2页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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MJ11018概述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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INCHANGE Semiconductor
isc
Product Specification
isc
Silicon NPN Darlington Power Transistor
MJ11018
DESCRIPTION
·Collector-Emitter
Sustaining Voltage-
: V
CEO(SUS)
= 150V (Min.)
·High
DC Current Gain-
: h
FE
= 400(Min.)@I
C
= 10A
·Low
Collector Saturation Voltage-
: V
CE (sat)
= 1.0V(Max.)@ I
C
= 5.0A
·Complement
to Type MJ11017
APPLICATIONS
·Designed
for general purpose amplifiers, low frequency
switching and motor control applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
a
=25
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
stg
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continunous
Collector Current-Peak
Base Current-Continunous
Collector Power Dissipation
@T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VALUE
150
150
5
15
30
0.5
175
175
-65~175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance, Junction to Case
MAX
0.86
UNIT
℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn

 
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