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UMZ-T2-227-O16-G

产品描述Oscillator, 4900MHz Min, 5900MHz Max, 5900MHz Nom,
产品类别无源元件    振荡器   
文件大小263KB,共3页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
标准
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UMZ-T2-227-O16-G概述

Oscillator, 4900MHz Min, 5900MHz Max, 5900MHz Nom,

UMZ-T2-227-O16-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明LCC16,.5SQ,100
Reach Compliance Codecompliant
安装特点SURFACE MOUNT
端子数量16
最大工作频率5900 MHz
最小工作频率4900 MHz
标称工作频率5900 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码LCC16,.5SQ,100
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压5 V
表面贴装YES
Base Number Matches1

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UMZ-T2-227-
O16-GVoltage
Controlled
Oscillator With
Internal Dou-
bler
UMZ-T2-227-O16-G
VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR WITH
INTERNAL DOUBLER
Package: O16, 12.7mm x 12.7mm x 5.59mm
Features
V
CC
Internal Frequency Doubler and
Buffer AMP
1/2 Frequency Output Provided
Frequency: 4900MHz to
5900MHz
Resonator: Microstrip
PCB: Rogers
Package Size: 12.7mm x
12.7mm x 5.59mm (0.5in x 0.5in
x 0.22in)
Voltage Controlled Oscillator (VCO)
V
TUNE
Tank Circuit
Active
Circuit
½ Frequency
Sample Port
Resonator
x2
RF Output
Applications
DRO Replacements
Higher Frequency Applications
Wide Bandwidth Applications
Test Instrumentation
Functional Block Diagram
Product Description
This series of VCO modules offers ultra-linear tuning across their specified fre-
quency band.
Ordering Information
UMZ-T2-227-O16-G Contact us at 1-480-756-6070
Optimum Technology Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
BiFET HBT
LDMOS
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mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS110907
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