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MJ15003

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小112KB,共3页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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MJ15003概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3

晶体管,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3

MJ15003规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流20 A
状态Active-Unconfirmed
结构Single
最小直流放大倍数25
最大工作温度200 Cel
larity_channel_typeNPN
wer_dissipation_max__abs_250 W
sub_categoryOther Transistors
表面贴装NO
额定交叉频率2 MHz

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Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
MJ15003
DESCRIPTION
・With
TO-3 package
・Complement
to type MJ15004
・Excellent
safe operating area
APPLICATIONS
・For
high power audio,disk head positioners
and other linear applications
PINNING(see Fig.2)
PIN
1
2
3
Base
Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
Collector
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
I
E
P
D
T
j
T
stg
PARAMETER
固电
Collector-base voltage
导½
ANG
H
CONDITIONS
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
INC
MIC
E SE
Open emitter
Open base
Open collector
OR
CT
NDU
O
VALUE
140
140
5
20
5
-25
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
Base current
Emitter current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25℃
250
200
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal resistance junction to case
MAX
0.7
UNIT
℃/W

MJ15003相似产品对比

MJ15003 2SC4981
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3 TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3
最大集电极电流 20 A 20 A
状态 Active-Unconfirmed Active-Unconfirmed
结构 Single Single
最小直流放大倍数 25 25
最大工作温度 200 Cel 200 Cel
larity_channel_type NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ 250 W 250 W
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