SUM34N10-35-E3,SUM34N10-35-E3 pdf中文资料,SUM34N10-35-E3引脚图,SUM34N10-35-E3电路-Datasheet-电子工程世界

SUM34N10-35-E3: 产品描述TRANSISTOR 34 A, 100 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小50KB，共6页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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SUM34N10-35-E3概述

TRANSISTOR 34 A, 100 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	34 A
最大漏极电流 (ID)	34 A
最大漏源导通电阻	0.035 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	60 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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