Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 390V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | O-LELF-R2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大击穿电压 | 517 V |
最小击穿电压 | 423 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 1000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 5 W |
参考标准 | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压 | 390 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved