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AD706TQ

产品描述

AD706TQ放大器基础信息:

AD706TQ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERDIP-8

AD706TQ放大器核心信息:

AD706TQ的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.00017 µA他的最大平均偏置电流为0.00012 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,AD706TQ的标称压摆率有0.15 V/us。厂商给出的AD706TQ的最大压摆率为1.2 mA.其最小电压增益为200000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,AD706TQ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。

AD706TQ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。AD706TQ的输入失调电压为50 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)AD706TQ的宽度为:7.62 mm。

AD706TQ的相关尺寸:

AD706TQ拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

AD706TQ放大器其他信息:

AD706TQ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。AD706TQ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

AD706TQ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。AD706TQ的封装代码是:DIP。AD706TQ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。AD706TQ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小214KB,共12页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
器件替换:AD706TQ替换放大器
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AD706TQ概述

AD706TQ放大器基础信息:

AD706TQ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HERMETIC SEALED, CERDIP-8

AD706TQ放大器核心信息:

AD706TQ的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.00017 µA他的最大平均偏置电流为0.00012 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,AD706TQ的标称压摆率有0.15 V/us。厂商给出的AD706TQ的最大压摆率为1.2 mA.其最小电压增益为200000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,AD706TQ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为800 kHz。

AD706TQ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。AD706TQ的输入失调电压为50 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)AD706TQ的宽度为:7.62 mm。

AD706TQ的相关尺寸:

AD706TQ拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

AD706TQ放大器其他信息:

AD706TQ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。AD706TQ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

AD706TQ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。AD706TQ的封装代码是:DIP。AD706TQ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。AD706TQ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

AD706TQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明HERMETIC SEALED, CERDIP-8
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00012 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00017 µA
最小共模抑制比110 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压50 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T8
JESD-609代码e0
低-偏置YES
低-失调YES
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率0.15 V/us
最大压摆率1.2 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽800 kHz
最小电压增益200000
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

AD706TQ相似产品对比

AD706TQ AD706JCHIPS
描述 IC DUAL OP-AMP, 50 uV OFFSET-MAX, 0.8 MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC SEALED, CERDIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 150 uV OFFSET-MAX, 0.8 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier
零件包装代码 DIP DIE
包装说明 HERMETIC SEALED, CERDIP-8 DIE
Reach Compliance Code not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00012 µA 0.0004 µA
最小共模抑制比 110 dB 108 dB
最大输入失调电压 50 µV 150 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 X-XUUC-N
负供电电压上限 -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V
功能数量 2 2
最高工作温度 125 °C 70 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIE
封装形状 RECTANGULAR UNSPECIFIED
封装形式 IN-LINE UNCASED CHIP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称压摆率 0.15 V/us 0.15 V/us
最大压摆率 1.2 mA 1.4 mA
供电电压上限 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V
表面贴装 NO YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 DUAL UPPER
标称均一增益带宽 800 kHz 800 kHz
最小电压增益 200000 150000

 
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