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BS616LV2016EIG70

产品描述Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44
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文件大小261KB,共9页
制造商Brilliance
标准
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BS616LV2016EIG70概述

Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44

BS616LV2016EIG70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP44,.46,32
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源2.5/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流7e-7 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

 
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