LVT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | WITH DIRECTION CONTROL |
| 控制类型 | COMMON CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | LVT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 5 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 3.7 ns |
| 传播延迟（tpd） | 4.2 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 翻译 | N/A |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SNJ54LVT245BFK | SNJ54LVT245BW | SNJ54LVT245BJ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | LVT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 | LVT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20, CERAMIC, FP-20 | LVT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 |
| 零件包装代码 | QLCC | DFP | DIP |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | CERAMIC, FP-20 | DIP, DIP20,.3 |
| 针数 | 20 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 其他特性 | WITH DIRECTION CONTROL | WITH DIRECTION CONTROL | WITH DIRECTION CONTROL |
| 控制类型 | COMMON CONTROL | COMMON CONTROL | COMMON CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | LVT | LVT | LVT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDFP-F20 | R-GDIP-T20 |
| 长度 | 8.89 mm | 13.09 mm | 24.195 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER | BUS TRANSCEIVER | BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A | 0.048 A | 0.048 A |
| 位数 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DFP | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | FL20,.3 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | FLATPACK | IN-LINE |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 5 mA | 5 mA | 5 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 3.7 ns | 3.7 ns | 3.7 ns |
| 传播延迟（tpd） | 4.2 ns | 4.2 ns | 4.2 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 2.54 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 技术 | BICMOS | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | FLAT | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
| 翻译 | N/A | N/A | N/A |
| 宽度 | 8.89 mm | 6.92 mm | 7.62 mm |
| 厂商名称 | - | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
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