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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2423(T5LCK,F)
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RN2423(T5LCK,F)

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小574KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2423(T5LCK,F)概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

RN2423(T5LCK,F)规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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RN2421~RN2427
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2421, RN2422, RN2423, RN2424
RN2425, RN2426, RN2427
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
High current type (I
C(MAX)
=
−800mA)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Low V
CE (sat)
Complementary to RN1421 to RN1427
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2421
RN2422
RN2423
RN2424
RN2425
RN2426
RN2427
R1 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
10
10
10
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
―
SC-59
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
RN2421 to 2427
RN2421 to 2424
Emitter-Base voltage
RN2425, 2426
RN2427
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2421 to 2427
I
c
P
c
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−10
−5
−6
−800
200
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
1988-02
1
2014-03-01

RN2423(T5LCK,F)相似产品对比

RN2423(T5LCK,F) RN2421(TE85L,F) RN2427(TE85L,F) RN2421(T5L,PP,F) RN2422(TE85L,F)
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3 TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,800MA I(C),SC-59
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
最小直流电流增益 (hFE) 70 60 90 60 65
元件数量 1 1 1 1 1
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 - BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.55 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
集电极-发射极最大电压 50 V - 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
端子数量 3 - 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
标称过渡频率 (fT) 200 MHz - 200 MHz 200 MHz 200 MHz
是否Rohs认证 - 符合 符合 - 符合
最大功率耗散 (Abs) - 0.2 W 0.2 W - 0.2 W

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