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KC856S: 产品描述100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小38KB，共1页; 制造商KEXIN; 官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm

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KC856S概述

100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 65 V, 2 通道, PNP, 硅, 小信号晶体管

KC856S规格参数

参数名称	属性值
端子数量	6
晶体管极性	PNP
最大集电极电流	0.1000 A
最大集电极发射极电压	65 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT PACKAGE-6
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SEPARATE, 2 ELEMENTS
元件数量	2
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
晶体管类型	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数	200
额定交叉频率	250 MHz

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SMD Type

Transistors

PNP General Purpose Double Transistor

KC856S

(BC856S)

-363

+0.1

1.3

-0.1

0.65

Unit: mm

Features

Reduces number of components and board space

No mutual interference between the transistors.

+0.15

2.3

-0.15

0.36

0.1max

+0.1

0.3

-0.1

+0.1

2.1

-0.1

+0.05

0.1

-0.02

1 E1

2 B1

3 C2

4 E2

5 B2

6 C1

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Junction Temperature Range

Symbol

CBO

CEO

EBO

Rating

-80

-65

-5

-100

200

416

-65 to +150

Unit

, T

stg

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector-Cutoff Current

Emitter- cutoff current

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

Transistion frequency

Symbol

CBO

EBO

CE(sat)

BE(sat)

Testconditons

=- 30 V, I

= 0

=- 30 V, I

= 0, T

= 150

=0,V

=-5V

= -2.0 mA, V

= -5.0 V

= -10 mA, I

=- 0.5 mA

= -100 mA, I

=- 5.0 mA

= -10 mA, I

=-0.5mA

= -10 V, f = 1.0 MHz

= -10 mA, V

= -5.0V,f = 100 mHz

100

700

2.5

110

-100

-300

MHz

Min

Typ

Max

-15

-5.0

-100

Unit

Marking

+0.05

0.95

-0.05

+0.1

1.25

-0.1

Two transistors in one package

0.525

www.kexin.com.cn

KC856S相似产品对比

	KC856S	BC856S
描述	100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量	6	6
晶体管极性	PNP	PNP
最大集电极电流	0.1000 A	0.1000 A
最大集电极发射极电压	65 V	65 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT PACKAGE-6	ROHS COMPLIANT PACKAGE-6
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子位置	DUAL	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
元件数量	2	2
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
晶体管类型	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数	200	200
额定交叉频率	250 MHz	250 MHz

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