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RN1241(TPE4): 产品描述TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小82KB，共3页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1241(TPE4)概述

TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1241(TPE4)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.3 A
集电极-发射极最大电压	20 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	30 MHz
Base Number Matches	1

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RN1241~RN1244

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1241,RN1242,RN1243,RN1244

For Muting and Switching Applications

High emitter-base voltage

: V

EBO

= 25v (min)

High reverse hfe

: reverse h

= 150 (typ.) (V

−2V,

−4ma)

Low on resistance

: R

= 1Ω (typ.) (I

= 5mA)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Unit: mm

Equivalent Circuit

JEDEC

EIAJ

TOSHIBA

Weight: 0.13g

―

2-4E1A

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

300

150

−55~150

Unit

°C

2001-06-07

RN1241~RN1244

RESTRICTIONS ON PRODUCT USE

000707EAA

TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor

devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical

stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of

safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of

such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.

In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as

set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and

conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability

Handbook” etc..

The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications

(computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances,

etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires

extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or

bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or

spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments,

medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in this

document shall be made at the customer’s own risk.

The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No

responsibility is assumed by TOSHIBA CORPORATION for any infringements of intellectual property or other

rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under

any intellectual property or other rights of TOSHIBA CORPORATION or others.

The information contained herein is subject to change without notice.

2001-06-07

RN1241(TPE4)相似产品对比

	RN1241(TPE4)	RN1241-A	RN1241A	RN1241-B	RN1241B
描述	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	2-4E1A, 3 PIN	IN-LINE, R-PSIP-T3	2-4E1A, 3 PIN	2-4E1A, 3 PIN
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A
最小直流电流增益 (hFE)	200	200	200	350	350
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	-
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR	-
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V	-	20 V	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	-
标称过渡频率 (fT)	30 MHz	30 MHz	-	30 MHz	-
Base Number Matches	1	1	1	-	-
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	e0
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
端子面层	-	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD

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