ZBT SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 3.4 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 167 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.07 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.275 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CY7C1372D-167AXCT | CY7C1370D-167AXIT | |
|---|---|---|
| 描述 | ZBT SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-100 | ZBT SRAM, 512KX36, 3.4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-100 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | LQFP, QFP100,.63X.87 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 3.4 ns | 3.4 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 167 MHz | 167 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 20 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 100 | 100 |
| 字数 | 1048576 words | 524288 words |
| 字数代码 | 1000000 | 512000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 1MX18 | 512KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.07 A | 0.07 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.275 mA | 0.275 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm |
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