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1N6263W

产品描述0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小30KB,共1页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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1N6263W概述

0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

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SMD Type
SMALL SIGNAL DIODES
1N6263W
Diodes
SOD-123
+0.1
2.7
-0.1
+0.1
0.55
-0.1
Unit: mm
+0.05
1.1
-0.05
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring Constuction for Transient Protection
Fast Switching Time
Low Reverse Capacitance
Surface Mount Package ldeally Suited for Automatic Insertion
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
3.7
-0.1
0.1max
0.50
0.35
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Paramater
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Volatge
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t
1.0s
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
F
I
FSM
P
d
I
èJA
T
j
T
STG
42
15
50
2.0
333
300
-55 to+125
-55 to+150
V
mA
mA
A
mW
/W
60
V
Value
Unit
@ t = 10 ms
Power Dissipation (Note1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note:
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout.
Electrical Characteristics Ta = 25
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Reverse Leakage Current (Note2)
Forward Voltage Drop (Note2)
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Note:
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
Symbol
V
(BR)R
I
RM
V
FM
C
T
trr
Test Condition
I
R
= 10
A
Min
60
200
0.41
1.00
2.0
1.0
pF
ns
Typ
Max
Unit
V
nA
V
V
R
= 50 V
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 15 mA
V
R
= 0v, f = 1.0 MHz
I
F
=I
R
= 5.0 mA
Irr = 0.1 x I
R
, R
L
= 100
Marking
Marking
SB
+0.1
1.6
-0.1
Features
www.kexin.com.cn
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