ST203C12CCH1LPBF,ST203C12CCH1LPBF pdf中文资料,ST203C12CCH1LPBF引脚图,ST203C12CCH1LPBF电路-Datasheet-电子工程世界

ST203C12CCH1LPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小174KB，共9页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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ST203C12CCH1LPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BUTTON
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数	3
制造商包装代码	A-PUK
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	30 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	250
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	700 A
重复峰值关态漏电流最大值	40000 µA
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	30
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY