电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BF823

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小33KB,共1页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BF823概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23

晶体管,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23

BF823规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流0.0500 A
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
结构Single
最小直流放大倍数50
最大工作温度150 Cel
larity_channel_typePNP
wer_dissipation_max__abs_0.3100 W
sub_categoryOther Transistors
表面贴装YES
额定交叉频率60 MHz

文档预览

下载PDF文档
SMD Type
PNP High-Voltage Transistors
BF821,BF823
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
Transistors
Unit: mm
Features
+0.1
2.4
-0.1
Low current (max. 50 mA)
High voltage (max. 300 V).
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Collector-base voltage
BF821
BF823
Collector-emitter voltage
BF821
BF823
Emitter-base voltage
Collector current
Peak collector current
Peak base current
Total power dissipation *
Storage temperature
Junction temperature
Operating ambient temperature
Thermal resistance from junction to ambient *
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
R
amb
R
th j-a
V
CEO
Symbol
V
CBO
Rating
-300
-250
-300
-250
-5
-50
-100
-50
250
-65 to +150
150
-65 to +150
500
K/W
Unit
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
Feedback capacitance
Transition frequency
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CEsat
C
re
f
T
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -200 V
I
E
= 0; V
CB
= -200 V; T
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -5 V
I
C
= -25 mA; V
CE
= -20 V
I
C
= -30 mA; I
B
= -5 mA
I
C
= ic = 0; V
CB
= -30 V; f = 1 MHz
I
C
= -10 mA; V
CE
= -10 V; f = 100 MHz
60
50
-800
1.6
mV
pF
MHz
Min
Typ
Max
-10
-10
-50
Unit
nA
ìA
nA
h
FE
Classification
TYPE
Marking
BF821
1W
BF823
1Y
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1

BF823相似产品对比

BF823 BF821
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23 TRANSISTOR,BJT,PNP,300V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23
最大集电极电流 0.0500 A 0.0500 A
each_compli Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 Active Active
结构 Single Single
最小直流放大倍数 50 50
最大工作温度 150 Cel 150 Cel
larity_channel_type PNP PNP
wer_dissipation_max__abs_ 0.3100 W 0.3100 W
sub_category Other Transistors Other Transistors
表面贴装 YES YES
额定交叉频率 60 MHz 60 MHz
ST-LINK 驱动 win8.1 x64
本人系统 win8.1x64 在网上找各种安装方法失败 后在ST官网找到最新版本 STSW-LINK006ST-LINK/V2 USB driver for Windows 8 实测 win8.1x64 安装成功 ...
fei27510 stm32/stm8
如何采用蓝牙4.2实现物联网
在许多无线物联网设备中,如可穿戴电子设备和电池供电或自供电传感器,将功耗保持在最低水平至关重要。物联网的一些最重要的应用包括智能家居,远程医疗保健,消费者零售,环境监控和商业资 ......
fish001 无线连接
EEWORLD大学堂----直播回放: Keysight感恩月示波器大讲堂
直播回放: Keysight感恩月示波器大讲堂:https://training.eeworld.com.cn/course/67750...
hi5 综合技术交流
学会用WORD画单片机图纸
15599...
tsb00 单片机
自制电磁铁
现欲自制电磁铁来做电磁震荡,吸力估计约为40kg,铁心中间柱的横截面积是40平方厘米(5cm*8cm),请问该用线径为多大的铜线绕制?需要绕制多少匝数? 谢谢大侠赐教...
tongyan217 工业自动化与控制
Linux内核解读入门(申精)
针对好多Linux 爱好者对内核很有兴趣却无从下口,本文旨在介绍一种解读linux内核源码的入门方法,而不是解说linux复杂的内核机制; (参考资料来源:飞凌 http://www.witech.com.cn/) 一.核 ......
zorro1978 Linux开发

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2331  1779  1550  632  1005  30  50  23  56  46 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved