M58BW016DB100ZA3FT,M58BW016DB100ZA3FT pdf中文资料,M58BW016DB100ZA3FT引脚图,M58BW016DB100ZA3FT电路-Datasheet-电子工程世界

M58BW016DB100ZA3FT: 产品描述512KX32 FLASH 3V PROM, 100ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80; 产品类别存储存储; 文件大小902KB，共63页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M58BW016DB100ZA3FT概述

512KX32 FLASH 3V PROM, 100ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80
针数	80
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B80
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	32
功能数量	1
部门数/规模	8,31
端子数量	80
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA80,8X10,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.7 mm
部门规模	2K,16K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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